Южнокорейская компания SK Hynix сообщила о доступности 8-гигабитных микросхем памяти GDDR6 — Graphics Double Data Rate шестого поколения.
Ещё в апреле 2017 года SK Hynix представила память GDDR6 для видеокарт с объёмом чипа 8 Гбит с использованием 20-нм технологического процесса. Пропускная способность одного контакта составила 16 Гбит/с.
Теперь в обновлённом каталоге SK Hynix говорится о доступности GDDR6-изделий с обозначениями H56C8H24MJR-S2C и H56C8H24MJR-S0C. Решения первого типа обеспечивают скорость передачи данных 14 или 12 Гбит/с при напряжении соответственно 1,35 и 1,25 В. Скорость передачи данных чипов второй модификации может составлять 12 или 10 Гбит/с при напряжении 1,35 и 1,25 В.
Наиболее перспективными направлениями, где потенциал GDDR6 раскроется в полной мере, являются искусственный интеллект, виртуальная реальность, автопилотируемые автомобили и системы с дисплеями, разрешение которых превышает 4K.
Буквально на днях мы сообщали, что другой южнокорейский производитель — гигант Samsung — приступил к массовому производству первой в индустрии 16-Гбит памяти GDDR6. При изготовлении этих изделий применяется технология 10-нанометрового класса.
