Компания Samsung Electronics объявила о начале массового производства передовых микрочипов памяти DDR4 (Double-Data-Rate-4) DRAM, обладающих ёмкостью 8 Гбит.
Утверждается, что впервые в отрасли задействована технология 10-нанометрового класса (1y-nm) второго поколения. По сравнению с методикой первого поколения удалось добиться улучшения ключевых показателей.
В частности, новые чипы демонстрируют увеличение быстродействия приблизительно на 10 % по сравнению с изделиями аналогичной ёмкости, выполненными по технологии 10-нанометрового класса первого поколения. Скорость передачи информации повышена с 3200 до 3600 Мбит/с в расчёте на один вывод. В то же время энергетическая эффективность возросла на 15 %.
Улучшения ключевых характеристик удалось добиться за счёт внедрения новых технологий, в частности, проприетарной схемотехники.
Отмечается, что новое достижение поможет Samsung ускорить вывод на рынок чипов памяти следующего поколения. Речь, в частности, идёт об изделиях DDR5, HBM3, LPDDR5 и GDDR6. Для этих решений названа широкая сфера применения: это серверное оборудование, высокопроизводительные системы, суперкомпьютеры, мобильные устройства и графические ускорители.
