Компания Samsung Electronics объявила о разработке первых в отрасли микрочипов памяти LPDDR5 DRAM ёмкостью 8 Гбит, которые будут изготавливаться по технологии 10-нанометрового класса.
Изделия предназначены для использования в смартфонах с поддержкой мобильной связи пятого поколения (5G), а также в устройствах со средствами искусственного интеллекта (AI).
Отмечается, что решения LPDDR5 обеспечивают скорость передачи данных до 6400 Мбит/с. Это приблизительно в полтора раза больше по сравнению с современными чипами LPDDR4X (4266 Мбит/с).
Изделия LPDDR5 DRAM будут предлагаться в двух модификациях: 6400 Мбит/с с рабочим напряжениям 1,1 В и 5500 Мбит/с с рабочим напряжением 1,05 В.
Samsung Electronics отмечает, что новые чипы характеризуются высокой энергетической эффективностью. По сравнению с решениями предыдущего поколения выигрыш в энергопотреблении может достигать 30 %.
Ожидается, что новые чипы памяти найдут применение в мобильных устройствах нового поколения, автомобильных медиацентрах, системах машинного обучения и пр. Массовое производство планируется организовать после получения соответствующих заказов от участников рынка.
